会议论文《增强型InAlN_GaN HEMT的研制与分析》探讨了增强型InAlN/GaN高电子迁移率晶体管的制备与性能分析。文章介绍了器件结构设计、材料生长工艺及电学特性测试结果，重点分析了其在高频和高功率应用中的优势。研究为宽禁带半导体器件的发展提供了理论支持和技术参考，对推动相关领域的技术进步具有重要意义。
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