基于气隙技术的射频同轴TSV的电特性分析 - 中国电子学会电路与系统学会第二十四届年会.pdf

6 0

2026-1-10 12:42 | 查看全部阅读模式

会议论文《基于气隙技术的射频同轴TSV的电特性分析》发表于中国电子学会电路与系统学会第二十四届年会。该文研究了气隙技术在射频同轴通过硅通孔（TSV）中的应用，分析其对电磁性能的影响。通过仿真与实验验证，论文揭示了气隙结构对插入损耗、回波损耗及特性阻抗的优化作用，为高性能射频器件设计提供了理论支持。

文档为pdf格式，0.81MB，总共18页。