基于20nm FinFETs器件穿通电流的抑制及穿通阻止层技术优化设计 - 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

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2026-1-10 12:22 | 查看全部阅读模式

本文针对20nm FinFET器件中的穿通电流问题，提出了一种有效的抑制方法，并对穿通阻止层技术进行了优化设计。通过改进器件结构和工艺参数，显著降低了短沟道效应带来的穿通电流，提高了器件性能和可靠性。研究结果为高性能、低功耗FinFET器件的开发提供了理论支持和技术参考。

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