会议论文《功率MOSFET dv_dt对雪崩性能的影响》探讨了电压变化率（dv_dt）对功率MOSFET雪崩性能的影响。研究指出，较高的dv_dt会加剧器件内部电场分布不均，从而影响雪崩击穿特性。该文通过实验分析，揭示了dv_dt与雪崩能量之间的关系，为优化功率MOSFET的设计和应用提供了理论依据。
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