会议论文《加固SRAM单元的抗单粒子效应分析设计》探讨了如何提高SRAM单元在高辐射环境下的可靠性。文章分析了单粒子效应（SEU）对SRAM的影响，并提出了一种有效的加固设计方法。该设计通过优化电路结构和引入冗余机制，显著提升了SRAM单元的抗干扰能力。研究结果对航天、核能等关键领域中的集成电路设计具有重要参考价值。
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