会议论文《Study of defect density and aging properties of GaN LEDs》探讨了氮化镓发光二极管中的缺陷密度及其老化特性。该研究通过实验分析了不同工艺条件下LED的缺陷分布，评估了其对器件寿命和性能的影响。结果表明，缺陷密度与LED的老化行为密切相关，为提高GaN LED的可靠性提供了理论依据和技术支持。
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