IGBT器件栓锁特性研究 - 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

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2026-1-10 10:48 | 查看全部 阅读模式

会议论文《IGBT器件栓锁特性研究》探讨了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在高电流和高电压条件下的栓锁效应。文章分析了栓锁现象的机理及其对器件性能的影响,提出了改善措施以提高IGBT的可靠性和稳定性。该研究对于推动半导体器件技术的发展具有重要意义。

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IGBT器件栓锁特性研究 - 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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