会议论文《200mm图形片薄层硅外延工艺研究》探讨了200mm晶圆上薄层硅外延技术的最新进展。文章详细分析了外延生长过程中的关键工艺参数，如温度、气体流量和反应时间，以及它们对薄膜质量的影响。研究旨在提高外延层的均匀性和晶体质量，为先进半导体器件的制造提供技术支持。
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