高质量Si衬底上AlGaN_GaN HEMT材料生长 - 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

该会议论文介绍了在高质量Si衬底上生长AlGaN/GaN HEMT材料的研究进展。通过优化生长工艺，提高了材料的晶体质量和界面特性，为高性能功率器件的开发奠定了基础。研究对推动半导体器件产业发展和技术创新具有重要意义。

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高质量Si衬底上AlGaN_GaN HEMT材料生长 - 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

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