高压P沟道VDMOS的设计 - 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

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2026-1-10 09:30 | 查看全部阅读模式

会议论文《高压P沟道VDMOS的设计》探讨了高压P沟道VDMOS器件的结构设计与性能优化。文章针对传统MOSFET在高压应用中的局限性，提出改进方案，以提高击穿电压和导通性能。研究为高功率电子器件的发展提供了理论支持和技术参考，对推动半导体器件产业的技术进步具有重要意义。

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