脉冲条件下AlGaN_GaN HEMT势垒层陷阱对跨导线性度的影响研究 - 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

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2026-1-10 08:16 | 查看全部阅读模式

本文研究了脉冲条件下AlGaN/GaN HEMT势垒层陷阱对跨导线性度的影响。通过实验分析发现，势垒层中的陷阱在脉冲工作状态下会显著影响器件的跨导特性，导致线性度下降。研究揭示了陷阱捕获与释放过程对器件性能的作用机制，为优化HEMT器件设计提供了理论依据。

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