会议论文《粗化生长速率对GaN外延层位错及LED性能的影响》探讨了在GaN外延生长过程中，粗化速率对位错密度及LED器件性能的影响。研究结果表明，优化粗化生长速率可有效降低位错密度，从而提升LED的发光效率和可靠性。该论文为提高GaN基LED性能提供了重要的理论依据和技术参考。
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