会议论文《毫米波AlGaN/GaN HEMT器件物理模型仿真》探讨了基于AlGaN/GaN材料的高电子迁移率晶体管在毫米波频段的性能模拟。该研究通过建立精确的物理模型，分析了器件结构对电学特性的影响，为高性能微波器件的设计提供了理论支持。论文在2014年全国军事微波技术暨太赫兹技术学术会议上发表，具有重要的工程应用价值。
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