成型工艺对高介薄型单层陶瓷电容器电阻性能影响 - 全国电子陶瓷、陶瓷——金属封接第十四届会议暨真空电子与专用金属材料分会2014年年会.pdf

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2026-1-10 05:24 | 查看全部 阅读模式

会议论文《成型工艺对高介薄型单层陶瓷电容器电阻性能影响》探讨了不同成型工艺对高介电常数薄型单层陶瓷电容器电阻性能的影响。研究通过实验分析了压制压力、烧结温度等参数对电容器电阻率的作用,为优化电容器性能提供了理论依据和技术支持。

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成型工艺对高介薄型单层陶瓷电容器电阻性能影响 - 全国电子陶瓷、陶瓷——金属封接第十四届会议暨真空电子与专用金属材料分会2014年年会
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