带有栅场板的AlGaN_GaN HFET沟道电场分布模型 - 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

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2026-1-10 05:07 | 查看全部阅读模式

会议论文《带有栅场板的AlGaN_GaN HFET沟道电场分布模型》探讨了在AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中，栅场板对沟道电场分布的影响。该研究通过建立电场分布模型，分析了栅场板结构对器件性能的优化作用，为提升器件的功率密度和可靠性提供了理论依据。

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