基于改善InGaP_GaAs自热效应的复合管设计 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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2026-1-10 04:13 | 查看全部 阅读模式

会议论文《基于改善InGaP_GaAs自热效应的复合管设计》探讨了如何通过优化器件结构来减少InGaP/GaAs双极晶体管中的自热效应,从而提升其性能和稳定性。该研究针对高频高功率应用中的热问题,提出了一种复合管设计方案,有效降低了工作温度,提高了器件的可靠性和效率。本文为高性能半导体器件的设计提供了新的思路和技术支持。

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基于改善InGaP_GaAs自热效应的复合管设计 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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