会议论文《含表面层的厚靶D-T中子产额计算》探讨了在厚靶条件下，含有表面层的D-T反应中子产额的计算方法。该研究对核物理和核工程领域具有重要意义，有助于提高中子源的设计与应用效率。论文发表于北京核学会第十届核应用技术学术交流会，为相关领域的研究提供了理论支持和技术参考。
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