会议论文《单MESA结构的4H-SiC PiN二级管制造》介绍了基于4H-SiC材料的PiN二极管制造工艺。文章重点研究了单MESA结构的设计与实现，通过优化刻蚀和掺杂工艺，提高了器件的电学性能。该研究对提升SiC功率器件的可靠性与效率具有重要意义，为下一代半导体器件的发展提供了理论支持和技术参考。
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