功率VDMOS器件单粒子辐射损伤效应研究 - 第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014).pdf

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2026-1-10 03:04 | 查看全部 阅读模式

会议论文《功率VDMOS器件单粒子辐射损伤效应研究》发表于第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)。该文研究了单粒子辐射对功率VDMOS器件性能的影响,分析了辐射损伤机制及器件失效模式,为提高半导体器件在高辐射环境下的可靠性提供了理论依据和技术参考。

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功率VDMOS器件单粒子辐射损伤效应研究 - 第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)
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