会议论文《偏置条件对NPN及PNP双极晶体管电离辐射损伤的影响》探讨了在不同偏置条件下，NPN和PNP双极晶体管在电离辐射作用下的性能变化。研究结果表明，偏置电压对晶体管的辐射损伤程度有显著影响，尤其在高能粒子照射下，不同的工作状态会导致载流子行为和缺陷生成的差异。该论文为提高半导体器件在辐射环境中的可靠性提供了理论依据和技术参考。
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