低补偿p型GaN的变温霍尔研究 - 第十四届全国固体薄膜学术会议.pdf

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2026-1-10 02:37 | 查看全部 阅读模式

会议论文《低补偿p型GaN的变温霍尔研究》发表于第十四届全国固体薄膜学术会议。该研究通过变温霍尔测量方法,分析了低补偿p型GaN材料的载流子浓度和迁移率随温度的变化规律。结果表明,在不同温度下,材料的电学性能表现出显著差异,为p型GaN器件的优化提供了理论依据。

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低补偿p型GaN的变温霍尔研究 - 第十四届全国固体薄膜学术会议
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