中子和γ综合辐照在Si中产生初级辐照损伤的模拟研究 - 第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014).pdf

会议论文《中子和γ综合辐照在Si中产生初级辐照损伤的模拟研究》发表于第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)。该研究通过计算机模拟方法，分析了中子与γ射线共同作用下硅材料中初级辐照损伤的形成机制，探讨了不同辐照条件对材料微观结构的影响，为辐射环境下半导体器件的可靠性研究提供了理论依据。

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中子和γ综合辐照在Si中产生初级辐照损伤的模拟研究 - 第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014).pdf

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