不同工艺尺寸静态随机存储器总剂量辐射损伤特征研究 - 第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014).pdf

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2026-1-10 02:13 | 查看全部 阅读模式

会议论文《不同工艺尺寸静态随机存储器总剂量辐射损伤特征研究》发表于第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)。该文研究了不同工艺尺寸的SRAM在总剂量辐射下的损伤特性,分析了辐射对器件性能的影响,为提高半导体器件的抗辐射能力提供了理论依据和技术参考。

文档为pdf格式,0.48MB,总共10页。

不同工艺尺寸静态随机存储器总剂量辐射损伤特征研究 - 第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)
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