S波段100W硅LDMOS功率芯片鲁棒性的提高方法 - 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

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2026-1-10 01:43 | 查看全部阅读模式

会议论文《S波段100W硅LDMOS功率芯片鲁棒性的提高方法》探讨了如何提升S波段100W硅LDMOS功率芯片在复杂工作环境下的稳定性和可靠性。文章通过优化器件结构和工艺参数，有效改善了芯片的热性能和抗过载能力，为高性能射频功率器件的设计提供了理论支持和技术参考。

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