会议论文《NROM存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性》发表于第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)。该文研究了NROM存储器在总剂量辐射下的损伤效应及其退火特性，分析了辐射对器件性能的影响及退火过程中的恢复情况，为提高半导体器件的抗辐射能力提供了理论依据和技术参考。
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