ITO靶材在磁控溅射过程中的结瘤机理研究 - 2014中国平板显示学术会议.pdf

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2026-1-10 01:25 | 查看全部 阅读模式

会议论文《ITO靶材在磁控溅射过程中的结瘤机理研究》探讨了ITO靶材在磁控溅射过程中出现的结瘤现象及其形成机制。该研究通过实验分析,揭示了结瘤的成因,包括靶材表面的不均匀性、溅射条件以及等离子体分布等因素的影响。研究成果对提高ITO薄膜的质量和稳定性具有重要意义,为优化磁控溅射工艺提供了理论依据。

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ITO靶材在磁控溅射过程中的结瘤机理研究 - 2014中国平板显示学术会议
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