EEPROM累积辐射损伤模式分析 - 第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014).pdf

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2026-1-10 01:17 | 查看全部 阅读模式

会议论文《EEPROM累积辐射损伤模式分析》发表于第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)。该文研究了EEPROM在辐射环境下的累积损伤机制,通过实验分析不同辐射剂量对存储性能的影响,揭示了器件失效的物理过程。研究成果为提高半导体器件的抗辐射能力提供了理论依据,对空间电子和核工业应用具有重要意义。

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EEPROM累积辐射损伤模式分析 - 第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)
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