CCD在质子辐射环境下的位移损伤机理分析 - 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

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2026-1-10 01:13 | 查看全部阅读模式

会议论文《CCD在质子辐射环境下的位移损伤机理分析》探讨了质子辐射对CCD器件性能的影响。研究通过实验与模拟相结合的方法，分析了质子注入后CCD内部产生的位移损伤机制，揭示了辐射导致的电荷转移效率下降和暗电流增大的原因，为提高CCD在辐射环境下的可靠性提供了理论依据。

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