会议论文《AlGaN/GaN HEMTs阶跃应力可靠性研究》探讨了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在阶跃应力下的可靠性问题。该研究针对器件在不同应力条件下的性能变化进行了系统分析，为提高器件稳定性和寿命提供了理论依据和技术支持。论文在第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议上发表，对推动宽禁带半导体器件的发展具有重要意义。
文档为pdf格式，0.61MB，总共4页。
举报
