150V电荷耦合功率MOSFET的仿真研究 - 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

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2026-1-10 00:57 | 查看全部阅读模式

本文介绍了150V电荷耦合功率MOSFET的仿真研究，旨在优化其性能和可靠性。通过仿真分析，研究了器件结构对电荷耦合效应的影响，提出了改进方案以提升开关特性与耐压能力。该研究为高电压功率器件的设计提供了理论依据和技术支持，具有重要的工程应用价值。

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