19.4-GHz InGaP_GaAs HBT推推式结构VCO设计 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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2026-1-10 00:57 | 查看全部 阅读模式

会议论文《19.4-GHz InGaP_GaAs HBT推推式结构VCO设计》介绍了基于InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)的19.4 GHz压控振荡器设计。该设计采用推推式结构,提升了频率稳定性和输出功率。通过优化电路参数和匹配网络,实现了高频率性能和低相位噪声,适用于高频通信系统。

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19.4-GHz InGaP_GaAs HBT推推式结构VCO设计 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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