会议论文《0.18μm PDSOI CMOS器件电离辐照性能研究》探讨了在电离辐射环境下，0.18μm PDSOI CMOS器件的性能变化。研究通过实验分析了辐照对器件阈值电压、漏电流等参数的影响，为提高器件抗辐射能力提供了理论依据和技术支持。
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