0.4 THz InGaAs_InP Double Heterojunction Bipolar Transistor with Fmax=416 GHz and BVCBO=4V - 2014全国第十五届微波集成电路与移动通信学术年会.pdf

该会议论文介绍了0.4 THz InGaAs_InP双异质结双极晶体管，其最大频率Fmax达到416 GHz，击穿电压BVCBO为4V。该器件在微波集成电路与移动通信领域具有重要应用价值，展示了高性能太赫兹器件的发展成果。

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0.4 THz InGaAs_InP Double Heterojunction Bipolar Transistor with Fmax=416 GHz and BVCBO=4V - 2014全国第十五届微波集成电路与移动通信学术年会.pdf

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