重P型掺杂GaAsSb费米能级研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf

论文《重P型掺杂GaAsSb费米能级研究》探讨了重P型掺杂对GaAsSb材料费米能级位置的影响。通过实验与理论分析，研究揭示了掺杂浓度与费米能级变化之间的关系，为优化半导体器件性能提供了重要依据。该成果在化合物半导体材料领域具有重要意义，有助于推动微波器件和光电器件的发展。

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2025-12-14 20:33 上传 重P型掺杂GaAsSb费米能级研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf

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