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线性区内AlGaN_AlN_GaN HFETs迁移率的理论研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2025-12-14 19:46 | 查看全部阅读模式

本文研究了AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管（HFETs）在线性区内的迁移率特性。通过理论分析，探讨了界面散射、电离杂质散射等因素对迁移率的影响，为优化器件性能提供了理论依据。

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线性区内AlGaN_AlN_GaN HFETs迁移率的理论研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

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器件, 学术会议, 理论研究, 化合物, 线性

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