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论文《用X射线光电子能谱来测量单斜三氧化二镓和氮化镓的带阶》发表于第十三届全国固体薄膜学术会议。该研究利用X射线光电子能谱（XPS）技术，对单斜三氧化二镓（β-Ga₂O₃）和氮化镓（GaN）的能带结构进行了精确测量。通过分析核心能级和价带谱，作者确定了两种材料的功函数和带阶位置，为相关半导体器件的设计与性能优化提供了重要参考。 文档为pdf格式，0.84MB，总共6页。
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