栅源场板AlGaN_GaN-HEMT动态特性分析 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf

论文《栅源场板AlGaN_GaN-HEMT动态特性分析》探讨了基于AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管（HEMT）在栅源场板结构下的动态性能。通过仿真与实验分析，研究了器件在高频和高功率条件下的响应特性，为优化器件设计和提升性能提供了理论依据和技术支持。

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2025-12-14 18:16 上传 栅源场板AlGaN_GaN-HEMT动态特性分析 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf

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