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论文《有关SiGe源及CESL对纳米nMOSFET性能提高的研究》探讨了通过引入SiGe源区和化学机械抛光后应力层（CESL）来提升纳米nMOSFET性能的方法。研究结果表明，这些技术能够有效改善载流子迁移率，降低接触电阻，从而提高器件的驱动能力和整体性能。该成果为高性能集成电路设计提供了新的思路和技术支持。 文档为pdf格式，0.61MB，总共3页。
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- 有关SiGe源及CESL对纳米nMOSFET性能提高的研究 - 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会.p ...
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