本文研究了掺钙铬酸镧材料在相变过程中对导电性能的影响机制。通过实验分析,揭示了钙掺杂对材料晶体结构及电导率的调控作用。研究结果表明,相变过程中的结构变化显著影响了材料的导电行为,为优化高熵陶瓷材料的电学性能提供了理论依据。
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