本文介绍了基于温度场耦合效应的集成电路电磁兼容特性研究,探讨了温度变化对电磁干扰和抗扰度的影响。通过分析温度与电磁场的相互作用,提出了改进集成电路电磁兼容性能的新思路。该研究为高密度集成系统的设计提供了理论依据和技术支持,具有重要的工程应用价值。
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