基于正交设计的BiMOS运算放大器瞬时电离辐射效应影响因素分析 - 第八届(2012)北京核学会核应用技术学术交流会.pdf

论文《基于正交设计的BiMOS运算放大器瞬时电离辐射效应影响因素分析》探讨了电离辐射对BiMOS运算放大器性能的影响。通过正交设计方法，系统分析了辐射剂量、照射时间及工作电压等因素对器件特性的影响规律，为提高电子器件在辐射环境下的可靠性提供了理论依据和技术支持。

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2025-12-14 16:51 上传 基于正交设计的BiMOS运算放大器瞬时电离辐射效应影响因素分析 - 第八届(2012)北京核学会核应用技术学术交流会.pdf

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