The investigation on the relaxation of intrinsic compressive stress in CMOS transistors by additional N IMP treatment and AFM-Raman stress extraction - 2012中国机构与机器科学国际会议.pdf

该论文探讨了通过额外的氮离子注入处理来缓解CMOS晶体管中固有压缩应力的方法，并利用原子力显微镜-拉曼光谱技术进行应力提取。研究旨在提高器件性能和可靠性，为半导体制造工艺提供理论支持。2012年中国机构与机器科学国际会议收录了此研究成果。

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2025-12-14 14:58 上传 The investigation on the relaxation of intrinsic compressive stress in CMOS transistors by additional N IMP treatment and AFM-Raman stress extraction - 2012中国机构与机器科学国际会议.pdf

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