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SRAM K6R4016V1D单粒子闩锁及防护试验研究 - 第八届(2012)北京核学会核应用技术学术交流会.pdf

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论文《SRAM K6R4016V1D单粒子闩锁及防护试验研究》探讨了SRAM器件在宇宙射线等高能粒子作用下的单粒子闩锁效应。通过实验分析了K6R4016V1D型号SRAM的敏感性，并提出了有效的防护措施。该研究对提高航天电子设备的可靠性具有重要意义，为抗辐射设计提供了理论依据和技术支持。

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SRAM K6R4016V1D单粒子闩锁及防护试验研究 - 第八届(2012)北京核学会核应用技术学术交流会

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