PECVD 法沉积a-SiOx_H 层钝化N-型晶体硅表面的研究 - 第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12).pdf

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2025-12-14 14:51 | 查看全部 阅读模式

论文《PECVD 法沉积a-SiOx_H 层钝化N-型晶体硅表面的研究》发表于第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12),探讨了利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在N-型晶体硅表面制备a-SiOx_H层的工艺与性能。研究分析了该层对硅表面的钝化效果,旨在提升太阳能电池的效率和稳定性,为高效光伏器件的开发提供了理论支持和技术参考。

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PECVD 法沉积a-SiOx_H 层钝化N-型晶体硅表面的研究 - 第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
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