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PECVD制备微晶硅薄膜生长过程的模拟 - 第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12).pdf

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2025-12-14 14:51 | 查看全部阅读模式

本文介绍了通过PECVD技术制备微晶硅薄膜的生长过程模拟，旨在优化薄膜制备工艺。研究基于物理模型，分析了等离子体参数对薄膜结构和性能的影响，为提高微晶硅薄膜质量提供了理论依据。该论文在第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会上发表，对推动光伏技术发展具有重要意义。

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PECVD制备微晶硅薄膜生长过程的模拟 - 第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

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