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Mg、F 共掺p型SnO2薄膜的光电性质研究 - 2012中国平板显示学术会议.pdf

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论文《Mg、F 共掺p型SnO2薄膜的光电性质研究》探讨了通过Mg和F共掺杂制备p型SnO2薄膜的方法及其光电性能。研究结果表明，共掺杂有效改善了SnO2的导电性能和光学特性，为透明电子器件提供了新思路。该研究对发展新型半导体材料具有重要意义。

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学术会议, 薄膜, 中国, 光电, 性质

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