MOS器件脉冲与稳态电离总剂量效应异同性研究 - 全国信息与电子工程第五届学术年会暨四川省电子学会曙光分会第十六届学术年会.pdf

本文研究了MOS器件在脉冲与稳态电离总剂量效应下的异同性。通过对比分析两种不同辐照条件对器件性能的影响，揭示了电离辐射在不同时间尺度下的作用机制。研究结果表明，脉冲与稳态辐照在载流子产生、界面态变化及阈值电压漂移等方面存在显著差异，为器件抗辐射设计提供了理论依据。

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2025-12-14 14:48 上传 MOS器件脉冲与稳态电离总剂量效应异同性研究 - 全国信息与电子工程第五届学术年会暨四川省电子学会曙光分会第十六届学术年会.pdf

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