GaN基异质结器件缓冲层中极化掺杂对器件特性的影响 - 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会.pdf

该论文探讨了GaN基异质结器件中缓冲层极化掺杂对器件性能的影响。通过分析极化电荷分布及载流子传输特性，研究揭示了极化掺杂在改善器件导通特性和降低漏电流方面的关键作用。论文为优化GaN基器件设计提供了理论依据和技术参考，具有重要的学术和应用价值。

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2025-12-14 14:42 上传 GaN基异质结器件缓冲层中极化掺杂对器件特性的影响 - 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会.pdf

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