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论文《GD09-052GaN基雪崩光电二极管及其研究进展》介绍了基于氮化镓（GaN）材料的雪崩光电二极管（APD）的研究现状与技术进展。文章分析了GaN材料在光探测领域的优势，探讨了APD结构设计、性能优化及应用前景。研究对提升光通信和传感技术具有重要意义，为未来高性能光电器件的发展提供了理论支持和技术参考。 文档为pdf格式，0.07MB，总共1页。
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- GD09-052GaN基雪崩光电二极管及其研究进展 - 第10届全国光电技术学术交流会.pdf ...
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