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论文《GD12-006低温InGaAs_InAIAs超晶格的生长及特性分析》介绍了在低温条件下生长的InGaAs/InAlAs超晶格结构。通过分析其生长过程和物理特性，研究展示了该材料在光电子器件中的潜在应用价值。实验结果表明，低温生长有助于提高材料质量，优化界面特性，为高性能光电设备提供了新的方向。 文档为pdf格式，0.13MB，总共2页。
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